“Samsung“ представят първата 12nm DDR5 памет Leave a comment

Компанията “Samsung“ обяви, че е на път да разработи първата 12nm DDR5 памет. Новият продукт ще спомогне за изчислителните центрове от ново поколение и приложенията с изкуствен интелект.

По този начин ще се гарантира висока производителност и енергийна ефективност, но при намалено топлоотдаване и размер на матрицата. Така бъдещите чипове ще имат възможност за двойна производителност на един слой.

Новата памет ще е с обем от 16GB. Скоростта на предаване на данни ще е 7,2 Gbit/s. Това означава, че с такава скорост може да свалите два 30GB филми във формат 4K само за секунда.

Благодарение на подобрената ефективност, работата на новият чип ще е особено ефективно при обработката на огромните масиви данни от AI, както и машинното обучение.  

Най-важното е, че всичко това, наред с намаляването на физическия обем на единица клетка памет, не води със себе си традиционните грешки при четене и запис. Което е огромно постижение.

Това ще бъде първата DDR5 памет с най-голяма плътност на паметта в индустрията. Очаква се от “Samsung” да започнат производството на новите памети през 2023 година, като вече е потвърдено, че те ще бъдат съвместими и с процесорите на “AMD”.

Вашият коментар

Вашият имейл адрес няма да бъде публикуван. Задължителните полета са отбелязани с *